硅片是由高纯度晶体硅制成的晶圆，一般用作集成电路和芯片设备的载体。与其他材料相比，晶体硅具有非常稳定的分子结构，自由电子非常少，因此具有非常低的导电性。硅基芯片材料资源丰富，容易获得，应用广泛，涵盖了所有芯片产品的90%以上。硅是除了氧元素之外第二丰富的元素，并以各种形式在沙子、岩石和矿物中大量存在，这使得它比其他芯片材料更容易获得。

　　硅片清洗作为制作芯片制造的基石，非常重要，其清洗的效果直接影响到光伏电池和集成电路的性能、效率和稳定性。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，针对这一问题，可以使用超纯水进行清洗。

　　超纯水是为了研制超纯材料（芯片原件材料、纳米精细陶瓷材料等）应用蒸馏、去离子化、反渗透技术或其它适当的超临界精细技术生产出来的水，其电阻率大于18 MΩ*cm，或接近18.3 MΩ*cm极限值(25℃)。简单的说就是几乎去除氧和氢以外所有原子的水。

　　传统的超纯水制取工艺是采用阴阳树脂交换设备，该工艺的缺点在于树脂在使用一段时间以后要经常再生。随着膜分离技术的不断成熟，莱特莱德超纯水设备采用反渗透工艺，或是采用反渗透后面再经过EDI及抛光混床工艺来制取超纯水，出水电导率可达18.2MΩ，满足了芯片行业的用水需求。与此同时，超纯水设备废水产出量少，不会对环境造成污染，有非常高的环境效益、经济效益。

　　随着光伏电池和芯片科技的发展，对于硅片表面洁净度的要求越来越高，达到了微米级甚至纳米级的要求，这对目前的硅片表面清洗技术无疑是一项巨大的挑战，而超纯水设备的出水水质具有纯度高、无病毒和细菌、不含任何悬浮物、无化学污染等优势，可以达到相关卫生标准，有效实现硅片表面洁净度的严格要求。